(Teleborsa) -
STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, e
Innoscience, il leader mondiale nella manifattura di GaN su Si (nitruro di gallio su silicio) su fette a 8 pollici ad alte prestazioni e basso costo, hanno annunciato la firma di un
accordo per lo sviluppo e produzione di
tecnologia GaN che fa leva sui punti di forza di ciascuna Società per ottimizzare le soluzioni di potenza in GaN e la resilienza della filiera.
Le società hanno concordato un’
iniziativa di sviluppo congiunto circa la tecnologia di potenza GaN per far progredire il futuro promettente della potenza in GaN per elettronica di consumo, data center, automotive e sistemi di potenza industriale e molte altre applicazioni nei prossimi anni.
Inoltre, l’accordo consente a Innoscience di utilizzare la
capacità manifatturiera di front-end di ST al di fuori della Cina per le proprie fette in
GaN, mentre ST può far leva sulla capacità manifatturiera di front-end in Cina di Innoscience per le proprie fette in GaN. L’ambizione comune è per ciascuna Società quella di espandere la propria offerta individuale in GaN con flessibilità e resilienza della filiera per disporre di tutto ciò che chiedono i clienti in una vasta gamma di applicazioni.
"ST e Innoscience sono entrambi produttori integrati di dispositivi, e con questo accordo faremo leva su questo modello a beneficio dei nostri clienti nel mondo. Innanzitutto, ST farà accelerare la propria roadmap per la tecnologia di potenza in GaN a complemento della propria offerta in Silicio e in Carburo di Silicio. Inoltre, ST sarà in grado di capitalizzare un modello di manifattura flessibile per essere al servizio dei clienti nel mondo", ha dichiarato
Marco Cassis, President, Analog, Power & Discrete, MEMS and Sensors di STMicroelectronics.
"La tecnologia GaN è fondamentale per migliorare l’elettronica, creando sistemi più piccoli e più efficienti che risparmiano elettricità, abbassano i costi e riducono le emissioni di CO2. Innoscience è stato un pioniere della produzione in volumi di tecnologia in GaN a 8 pollici ed ha spedito più di un miliardo di dispositivi GaN in diversi mercati. Siamo entusiasti di aderire ad una collaborazione strategica con ST. La collaborazione congiunta fra ST e Innoscience si espanderà ulteriormente e accelererà l’adozione di tecnologia GaN. Insieme, i team di Innoscience e ST svilupperanno le prossime generazioni di tecnologia GaN", ha aggiunto Dr.
Weiwei Luo, Presidente e Co-fondatore di Innoscience.
I dispositivi di potenza in GaN sfruttano le
proprietà fondamentali del materiale che rendono possibili nuovi
standard di performance del sistema nella conversione di potenza, controllo motore e attuazione, offrendo perdite significativamente minori, che permettono efficienza potenziata, dimensioni minori, e peso inferiore, riducendo così il costo e l’impronta di carbonio complessivi della soluzione; questi dispositivi vengono rapidamente adottati nell'
elettronica di consumo, negli alimentatori dei data center e industriali, e negli inverter solari, e vengono attivamente progettati nei gruppi propulsori dei veicoli elettrici di prossima generazione, grazie ai vantaggi che offrono in termini di riduzione delle dimensioni e del peso.