(Teleborsa) - STMicroelectronics, colosso italo-francese del campo dei semiconduttori, sta introducendo la quarta generazione della sua tecnologia MOSFET STPOWER in carburo di silicio (SiC). La tecnologia della quarta generazione stabilisce nuovi standard in termini di efficienza energetica, densità di potenza e robustezza. Pur rispondendo alle esigenze del mercato automobilistico e del settore industriale, la nuova tecnologia è ottimizzata in particolar modo per gli inverter di trazione, componente chiave dei gruppi propulsori dei veicoli elettrici (EV). L'azienda progetta di introdurre ulteriori innovazioni avanzate nella tecnologia SiC entro il 2027, a conferma del suo impegno per l'innovazione.

"STMicroelectronics è intenzionata a guidare il futuro della mobilità elettrica e dell'efficienza industriale attraverso la sua tecnologia all'avanguardia in carburo di silicio. Apportiamo progressi continui alla tecnologia MOSFET SiC attraverso innovazioni nei dispositivi, nei package avanzati e nei moduli di potenza - ha affermato Marco Cassis, President, Analog, Power & Discrete, MEMS and Sensors Group - Insieme alla nostra strategia di produzione integrata verticalmente, forniamo prestazioni nella tecnologia SiC ai vertici del settore e una supply chain resiliente, per soddisfare le crescenti esigenze dei nostri clienti e contribuire a un futuro più sostenibile".

Prodotti più piccoli ed efficienti, i cui volumi di produzione aumenteranno nel 2025 nelle classi da 750 V e 1200 V, porteranno i vantaggi del carburo di silicio non solo nei modelli premium, ma anche in veicoli elettrici compatti e di medie dimensioni.